MRAM

Abkürzung für magnetoresistive random access memory, Speichertyp mit Direktzugriff, der zur Speicherung von Informationen magnetische Zustände anstelle von elektrischen Zuständen nutzt. Das Prinzip einer einzelnen Speicherzelle beruht darauf, dass der elektrische Widerstand zwischen zwei dünnen ferromagnetischen Schichten, die durch eine unmagnetische Schicht voneinander getrennt sind, stark von der Magnetisierungsrichtung der beiden äußeren Schichten (parallel oder antiparallel) abhängig ist. Der parallele bzw. niederohmige Zustand repräsentiert den Binärwert 1, der antiparallele bzw. hochohmige den Binärwert 0. MRAM-Chips sind nichtflüchtige Speicher, ihr Speicherinhalt bleibt auch nach Abschalten der Stromversorgung erhalten. Ein Rechner mit MRAM-Arbeitsspeicher könnte z. B. sofort nach dem Einschalten betriebsbereit sein.