Feldeffekt-Transịstor

Abkürzung FET, ein Halbleiterverstärkerelement in besonderer Ausführung, bei dem der Widerstand einer Halbleiterstrecke durch elektrische Felder gesteuert wird. Der Feldeffekt-Transistor besteht im Prinzip aus einem dünnen Halbleiterplättchen, auf das entweder isoliert durch eine Metalloxidschicht (MOS-FET) oder getrennt durch eine Sperrschicht (Junction-FET) beidseitig Beläge als Steuerelektrode aufgebracht sind. Beim Anlegen einer richtig gepolten Spannung entsteht zwischen Steuerelektrode und Halbleiterbahn ein Feld, das den Stromfluss mehr oder weniger abschnürt. Der Eingangswiderstand ist, ähnlich wie bei der Elektronenröhre, sehr groß (leistungslose Steuerung). Transistor.