Zonenschmelzverfahren

von dem US-amerikanischen Chemiker W. G. Pfann erfundenes Verfahren zur Herstellung besonders reiner Werkstoffe. Von der z. B. in einem Schiffchen befindlichen Substanz wird elektrisch (in einem Hochfrequenzfeld) eine dünne Schicht geschmolzen und diese Schmelzzone langsam in der Substanz weitergeführt. Die an der rückseitigen Begrenzung der Schmelzzone wieder kristallisierende Substanz ist reiner als vorher; die Verunreinigungen bleiben in dem geschmolzenen Teil und wandern mit diesem an das Ende des Schiffchens. Der Vorgang wird meist mehrmals wiederholt. Bei Stoffen mit sehr hohem Schmelzpunkt, z. B. Silicium, wird das tiegelfreie Zonenschmelzverfahren angewandt, wobei man einen Stab des zu reinigenden Materials senkrecht an den Enden einspannt. Das Zonenschmelzverfahren ist wichtig z. B. bei der Gewinnung der in der Halbleitertechnik verwendeten Stoffe, an deren Reinheit höchste Ansprüche gestellt werden.